[发明专利]用于图案化应用的原子层蚀刻、反应性前体和能量源

摘要

本发明涉及用于图案化应用的原子层蚀刻、反应性前体和能量源。本文提供了在待蚀刻的层上图案化含碳材料的方法和装置。方法涉及通过原子层蚀刻来修整含碳材料，原子层蚀刻包括在没有等离子体的情况下将含碳材料暴露于含氧气体以修改含碳材料的表面和将含碳材料暴露于惰性气体并点燃等离子体以去除含碳材料的经修改的表面。方法可用于多重图案化技术。方法还包括在不破坏真空的情况下在使用原子层蚀刻图案化的含碳材料上沉积共形膜。含氧气体可以是含氧气、臭氧、水蒸气、一氧化二氮、一氧化碳、甲酸蒸气和/或二氧化碳中的任一种或多种的气体。装置可包括替代的能量源，能量源包括27和/或13MHz电容耦合等离子体和/或电感耦合等离子体。

主权项

1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：向处理室提供包含含碳材料中的特征的图案的半导体衬底；以及通过原子层蚀刻修整所述含碳材料中的所述特征以减小关键尺寸并形成具有基本垂直的侧壁的经修整的含碳特征，所述原子层蚀刻包括：在没有等离子体的情况下将所述含碳材料中的所述特征的表面暴露于含氧气体以使所述含碳材料的所述表面改性，从而形成所述含碳材料的经改性的表面；和将所述含碳材料的所述经改性的表面暴露于惰性气体并点燃等离子体以除去所述含碳材料的所述经改性的表面并形成所述经修整的含碳特征。