[发明专利]单、双轴磁场传感器及其制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种单、双轴磁场传感器及其制备方法。该单磁场传感器包括：位于衬底上的第一全桥电路，第一全桥电路包括两个第一、第二磁阻模块，两个第一磁阻模块分别位于第一全桥电路一对相对桥臂上，两个第二磁阻模块分别位于第一全桥电路另一对相对桥臂上；第一磁阻模块的参考层磁化方向与自由层磁化方向垂直、两个第一磁阻模块的参考层磁化方向相同；第二磁阻模块的参考层磁化方向与自由层磁化方向垂直、两个第二磁阻模块的参考层磁化方向相同；第一磁阻模块的参考层磁化方向与第二磁阻模块的参考层磁化方向夹角为A，0

主权项

1.一种单轴磁场传感器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一全桥电路，所述第一全桥电路包括两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块，两个所述第一磁阻模块分别位于所述第一全桥电路的一对相对桥臂上，两个所述第二磁阻模块分别位于所述第一全桥电路的另一对相对桥臂上；所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直、两个所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向相同；所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直、两个所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向相同；所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向与相邻的所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向夹角为A，0

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