[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法有效

专利信息
申请号: 201810360564.4 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN108649916B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 李国强;李洁;陈辰;高峻宁 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈智英
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于薄膜体声波谐振器的技术领域,公开了一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法。所述薄膜体声波谐振器包括衬底,衬底上依次设置有背电极和压电层,衬底的表面设有凹槽,背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔,压电层设有通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电层上设有顶电极,通孔的另一侧以及通孔中设有背电极材料。背电极引出方法主要是在压电薄膜上制备通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料,背电极通过通孔引出。本发明免去了大面积刻蚀压电薄膜,对薄膜损伤较小;通孔引出电极易覆盖;且本发明可减小器件尺寸,降低功耗和提升性能。
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 电极 引出 方法
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器中背电极引出方法,其特征在于:包括以下步骤:在表面设有凹槽的衬底上依次沉积背电极和压电薄膜,背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔,然后在压电薄膜上制备通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中的背电极材料连续沉积,背电极通过通孔引出,将背电极引至压电薄膜的表面。
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