[发明专利]一种带瞬态增强的带隙基准电路

摘要

一种带瞬态增强的带隙基准电路，属于电子电路技术领域。包括带隙基准模块，瞬态增强模块和缓启动模块，带隙基准模块为Brokaw型基准，可以通过第三电阻来抵消第二三极管和第三三极管基极电流带来的基准电压的误差；瞬态增强模块通过第二PMOS管和第三PMOS管与带隙基准模块中第二NMOS管形成动态电流偏置，优化了电路的瞬态响应；同时通过第二电容、第二PMOS管和第三PMOS管形成的电流镜提供的动态电流，增加第一NMOS管栅极的瞬态充电电流；第二电容、第二PMOS管和第三PMOS管也组成反馈环路，防止电源电压的大幅度跌落；缓启动模块通过第一开关、第二开关、第三开关和第一电容使第一PMOS管栅极电压缓慢上升，避免环路建立过程中电压和电流的过冲。

主权项

1.一种带瞬态增强的带隙基准电路，包括带隙基准模块，瞬态增强模块和缓启动模块，所述带隙基准模块包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)和第七电阻(R7)，第一NMOS管(MN1)的栅极连接第二NMOS管(MN2)的栅极，其漏极作为所述带隙基准电路的输入端，其源极连接第二NMOS管(MN2)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的源极并连接电源电压；第二三极管(Q2)的基极连接第三电阻(R3)的一端，其集电极连接第四PMOS管(MP4)的栅极和漏极以及第五PMOS管(MP5)的栅极，其发射极通过第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的串联结构后接地；第三三极管(Q3)的基极连接第三电阻(R3)的另一端并作为所述带隙基准电路的输出端，其集电极连接第五PMOS管(MP5)的漏极，其发射极连接第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的串联点；第六电阻(R6)和第七电阻(R7)串联，其串联点连接所述带隙基准电路的输出端，第七电阻(R7)的另一端接地；其特征在于，所述瞬态增强模块包括第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第二电容(C2)，第二PMOS管(MP2)的栅极连接第三PMOS管(MP3)的栅极和漏极以及所述带隙基准模块中第二NMOS管(MN2)的漏极并通过第二电容(C2)后连接电源电压，其漏极连接所述带隙基准模块中第二NMOS管(MN2)的栅极，其源极连接第三PMOS管(MP3)的源极并连接所述带隙基准电路的输入端；所述缓启动模块包括第一PMOS管(MP1)、第一三极管(Q1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)、第一开关(S1)、第二开关(S2)和第三开关(S3)，第一三极管(Q1)的基极电源电压，其集电极连接所述带隙基准模块中第二NMOS管(MN2)的栅极并通过第一电阻(R1)后连接所述带隙基准电路的输入端，其发射极连接第一PMOS管(MP1)的源极；第一PMOS管(MP1)的栅极连接所述带隙基准模块中第三三极管(Q3)的集电极，其漏极接地；第二电阻(R2)的一端连接第一电容(C1)的下极板，其另一端接地；第一开关(S1)接在电源电压和所述带隙基准模块中第六电阻(R6)的另一端之间；第二开关(S2)接在第一PMOS管(MP1)的栅极和第一电容(C1)的上极板之间；第三开关(S3)接在第一PMOS管(MP1)的漏极和第一电容(C1)的上极板之间。