[发明专利]一种掩膜版差异的检测方法在审
| 申请号： | 201810356396.1 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108802063A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王晓龙;纪昌炎;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜版差异的检测方法，其中，包括：步骤S1，提供一第一晶粒阵列和一第二晶粒阵列，以及对应一第一掩膜版的第一图形和对应一第二掩膜版的第二图形；步骤S2，将第一图形曝光在第一晶粒阵列上，以及将第二图形曝光在第二晶粒阵列上；步骤S3，提取第一晶粒阵列和第二晶粒阵列中所有相同位置的成对的晶粒的图像进行比较生成比较结果；步骤S4，根据所有比较结果判断第一掩膜版和第二掩膜版的差异；能够对两块掩膜版之间的差异进行高精度的检测，不容易受到检测过程中各种因素的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 晶粒阵列 检测 图形曝光 半导体技术领域 晶粒 成对的 图像 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版差异的检测方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一第一晶粒阵列和一第二晶粒阵列，以及对应一第一掩膜版的第一图形和对应一第二掩膜版的第二图形；步骤S2，将所述第一图形曝光在所述第一晶粒阵列上，以及将所述第二图形曝光在所述第二晶粒阵列上；步骤S3，提取所述第一晶粒阵列和所述第二晶粒阵列中所有相同位置的成对的晶粒的图像进行比较生成比较结果；步骤S4，根据所有所述比较结果判断所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的差异。
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