[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和电子装置有效
申请号: | 201810354998.3 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108667437B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 杨天伦 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/17 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;翟海青 |
地址: | 315800 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和电子装置,所述方法包括:提供基底,在所述基底中形成有底部空腔,在所述底部空腔中填充有牺牲材料层;在所述牺牲材料层的部分表面以及基底的部分表面上依次形成下电极、压电层和上电极,并露出牺牲材料层的部分表面,上电极和下电极上下部分重叠;形成介电层,以覆盖基底的正面,并且介电层的顶面高于上电极的顶面;形成贯穿介电层的顶部空腔,顶部空腔露出部分所述上电极以及所述牺牲材料层的部分表面;提供盖帽衬底,将盖帽衬底与基底形成有所述介电层的一侧相接合;形成至少一个释放孔,释放孔贯穿基底露出部分牺牲材料层,或者,释放孔贯穿盖帽衬底露出部分顶部空腔;去除牺牲材料层。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底中形成有底部空腔,在所述底部空腔中填充有牺牲材料层;在所述牺牲材料层的部分表面以及所述基底的部分表面上依次形成下电极、压电层和上电极,并露出所述牺牲材料层的部分表面,其中,所述上电极和所述下电极上下部分重叠;形成介电层,以覆盖所述基底的正面,并且所述介电层的顶面高于所述上电极的顶面;形成贯穿所述介电层的顶部空腔,所述顶部空腔露出部分所述上电极以及所述牺牲材料层的部分表面;提供盖帽衬底,将所述盖帽衬底与所述基底形成有所述介电层的一侧相接合;形成至少一个释放孔,其中,所述释放孔贯穿所述基底露出部分所述牺牲材料层,或者,所述释放孔贯穿所述盖帽衬底露出部分所述顶部空腔;去除所述牺牲材料层。
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