[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底中形成有底部空腔，在所述底部空腔中填充有牺牲材料层；

在所述牺牲材料层的部分表面以及所述基底的部分表面上依次形成下电极、压电层和上电极，并露出所述牺牲材料层的部分表面；其中，所述在所述牺牲材料层的部分表面以及所述基底的部分表面上依次形成下电极、压电层和上电极，并露出所述牺牲材料层的部分表面，包括：在所述牺牲材料层以及所述基底的部分表面上依次形成下电极和压电层，并露出所述牺牲材料层的部分表面，在所述压电层的部分表面以及所述基底的部分表面形成上电极，并露出所述牺牲材料层的部分表面；其中，所述上电极和所述下电极上下部分重叠；其中，所述上电极和所述下电极上下部分重叠；

形成介电层，以覆盖所述基底的正面，并且所述介电层的顶面高于所述上电极的顶面；

形成贯穿所述介电层的顶部空腔，所述顶部空腔露出部分所述上电极以及所述牺牲材料层的部分表面；

提供盖帽衬底，将所述盖帽衬底与所述基底形成有所述介电层的一侧相接合；

形成至少一个释放孔，其中，所述释放孔贯穿所述基底露出部分所述牺牲材料层，或者，所述释放孔贯穿所述盖帽衬底露出部分所述顶部空腔；

去除所述牺牲材料层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述底部空腔的横截面形状为任意两边平行的多边形；

所述下电极的俯视形状为任意两边平行的多边形；

所述压电层的俯视形状为任意两边平行的多边形；

所述上电极的俯视形状为任意两边平行的多边形；

所述顶部空腔的横截面形状为任意两边平行的多边形。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述顶部空腔和所述底部空腔上下重叠部分形成一个共同内周，所述共同内周在所述压电层所在平面上的投影为不规则的多边形，所述不规则的多边形不包含任意一对相对而平行的直线段。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过湿法刻蚀或者干法刻蚀的方法去除所述牺牲材料层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述盖帽衬底与所述基底形成有所述介电层的一侧相接合的方法包括：

在形成所述底部空腔之前，或者，在形成所述牺牲材料层之后，形成所述下电极之前，在所述基底的正面形成键合焊盘，所述键合焊盘的俯视形状呈环形并环绕所述底部空腔；

提供所述盖帽衬底，在所述盖帽衬底上形成有沟槽以及围绕所述沟槽凸出的键合环；

在所述介电层中形成露出所述键合焊盘的开口，所述开口与所述键合环相匹配；

进行键合工艺，以将所述键合环和所述键合焊盘相键合，所述沟槽封罩所述顶部空腔，以实现所述盖帽衬底和所述基底相接合。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在形成所述下电极之前，形成第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述底部空腔的两侧，所述下电极电连接所述第一焊盘，所述上电极电连接所述第二焊盘。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，键合环的顶部包括键合材料层。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在将所述盖帽衬底和所述基底相接合之后，去除所述牺牲材料层之前或者之后，还包括：

在所述基底的背面形成互连结构，以分别电连接所述下电极和所述上电极。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成贯穿所述基底露出部分所述牺牲材料层的所述释放孔之前，还包括：对所述基底的背面进行减薄。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述盖帽衬底与所述基底形成有所述介电层的一侧相接合的方法包括：

提供盖帽衬底，将所述盖帽衬底与所述介电层直接键合。