[发明专利]一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法

摘要

本发明公开了一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法，该硅基OLED像素电路由4个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法将有机发光二极管放在驱动管的漏极，并使驱动管工作在饱和区，使得驱动管的工作电流与驱动管的漏极电压无关，从而消除了有机发光二极管老化所引起的电学特性变化对有机发光二极管工作电流的影响，改善了硅基OLED微显示器亮度下降的问题，提高了微显示器的显示质量。

主权项

1.一种硅基OLED像素电路，其特征在于，包括第一金属‑氧化物‑半导体场效应管、第二金属‑氧化物‑半导体场效应管、第三金属‑氧化物‑半导体场效应管、第四金属‑氧化物‑半导体场效应管、存储电容和有机发光二极管；其中，所述第一金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极电性连接于第一节点，其源级接入数据信号，其漏极电性连接于第一节点，其衬底接入地信号；所述第二金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号，其源级电性连接于第一节点，其漏极接入电源正电压，其衬底接入地信号；所述第三金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第二扫描信号，其源级电性连接于第一节点，其漏极电性连接于第二节点，其衬底接入地信号；所述第四金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极电性连接于第二节点，其源级接入参考电压，其漏极电性连接于第三节点，其衬底接入地信号；所述存储电容的一端电性连接于第二节点，其另一端接入地信号；所述有机发光二极管的阳极接入电源正电压，其阴极电性连接于第三节点。