[发明专利]一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法

说明书

本发明公开了一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法，该硅基OLED像素电路由4个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法将有机发光二极管放在驱动管的漏极，并使驱动管工作在饱和区，使得驱动管的工作电流与驱动管的漏极电压无关，从而消除了有机发光二极管老化所引起的电学特性变化对有机发光二极管工作电流的影响，改善了硅基OLED微显示器亮度下降的问题，提高了微显示器的显示质量。

技术领域

本发明涉及微显示技术领域，尤其涉及一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法。

背景技术

硅基OLED（Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管）微显示器是一种将主动发光型器件OLED制作单晶硅片上的微显示技术。它具有尺寸小、自发光、功耗低、视角宽等优点，主要应用于近眼显示和便携可穿戴设备中，涉及娱乐、军事、科研等各个领域中。

传统的硅基OLED像素电路为2T1C（2-Transistor-1-Capacitor）像素驱动电路。请参阅图1，该2T1C像素驱动电路由2个MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属-氧化物-半导体场效应管）T₁、T₂和一个电容C_s构成，其中T₁是开关管、T₂是驱动管、C_s是存储电容。在寻址阶段，扫描线开启开关管T₁，数据线对存储电容C_s充电；在发光阶段，扫描线关闭开关管T₁，存储在存储电容C_s的数据电压维持着T₂导通，导通电流使OLED发光，导通电流的大小为I_OLED=k(V_gs-V_th)²，其中k是驱动管T₂的电流放大系数，V_gs是驱动管T₂的栅源电压，V_th是驱动管T₂的阈值电压。但是，由于OLED器件结构本身的原因，比如有机薄层的热不稳定性、金属阴极的不稳定性等，会引起OLED的老化，从而会导致OLED的电学特性的变化，即OLED驱动电压和发光电流关系的变化。因为OLED位于驱动管的源级，其电压和电流关系的变化，会引起驱动管V_gs的变化，从而会影响驱动管的工作电流，从而会导致微显示器发光亮度的下降。

对于2T1C像素电路存在的上述问题，本发明提出了一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性的方法，可以消除OLED器件老化所引起的电学特性变化对OLED工作电流的影响，提高硅基OLED微显示器的显示效果。

发明内容

本发明的目的是在于提供一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法，以解决现有硅基OLED像素电路中OLED器件老化所引起的OLED电学特性变化对OLED驱动电流的影响。

为了解决上述问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种硅基OLED像素电路，该硅基OLED像素电路包括第一金属-氧化物-半导体场效应管、第二金属-氧化物-半导体场效应管、第三金属-氧化物-半导体场效应管、第四金属-氧化物-半导体场效应管、存储电容和有机发光二极管。