[发明专利]一种谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810346693.8 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108535852A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 孙豹;王昭;王玲芳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B17/00 | 分类号： | G02B17/00 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种谐振器及其制备方法。其制备方法为：(1)对芯层晶片和底层包层晶片的键合面进行清洗抛光；(2)将抛光后的芯层晶片和底层包层晶片再次清洗后，于室温，0.8～2MPa下进行预键合，然后由80～100℃逐渐升温至900～1100℃，进行高温退火处理，完成键合；(3)对步骤(2)所得产物中芯层晶片未键合的一面进行磨削，然后与顶层包层晶片一同重复步骤(1)和步骤(2)，使顶层包层晶片与芯层晶片完成键合，得到具有“三明治”结构的谐振器。本发明方法简单，制备得到的谐振器稳定性好，成本低，适用范围广，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 谐振器 包层 制备 键合 芯层 顶层 三明治 高温退火 清洗抛光 逐渐升温 键合面 预键合 中芯层 抛光 磨削 清洗 重复 | ||
【主权项】：
1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对芯层晶片和底层包层晶片的键合面进行清洗抛光；(2)将抛光后的芯层晶片和底层包层晶片再次清洗后，于室温，0.8～2MPa下进行预键合，然后由80～100℃逐渐升温至900～1100℃，进行高温退火处理，再次完成键合；(3)对步骤(2)所得产物中芯层晶片未键合的一面进行磨削，然后与顶层包层晶片一同重复步骤(1)和步骤(2)，使顶层包层晶片与芯层晶片完成键合，得到具有“三明治”结构的谐振器。
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