[发明专利]一种空隙型复合钝化介质的氮化镓晶体管及制作方法

摘要

本发明公开了一种空隙型复合钝化介质的氮化镓晶体管及制作方法，通过采用复合钝化介质技术，复合钝化介质层至少包括层叠的下介质层和上介质层，且下介质层和上介质层具有不同的蚀刻特性；通过特定的蚀刻方法使得下介质层的窗口宽度大于上介质层，从而在与半导体相接触的单层或多层钝化层中引入空隙结构，使栅金属与钝化介质/半导体界面发生物理上的隔离，从而切断器件表面的漏电通道，减少器件表面的栅漏电。同时，通过控制空隙结构的宽度在实现表面漏电通道切断的同时，还可保持良好的钝化效果。

主权项

1.一种空隙型复合钝化介质的氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供外延层，所述外延层包括由下至上依次层叠的衬底、氮化镓层和势垒层；2)于势垒层表面沉积复合钝化介质层，所述复合钝化介质层至少包括层叠的下介质层和上介质层，且下介质层和上介质层具有不同的蚀刻特性；3)蚀刻复合钝化介质层形成窗口，其中下介质层的窗口宽度大于上介质层；4)于窗口内沉积金属，所述金属形成栅极且栅极侧壁与下介质层之间形成空隙。