[发明专利]一种锂离子电池用硅负极及其制备方法在审
申请号: | 201810344840.8 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108448059A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 王永琛;朱华君;王正伟;程凯;刘付召 | 申请(专利权)人: | 星恒电源股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/134 | 分类号: | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/38 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215153 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种锂离子电池用硅负极及其制备方法,所述硅负极,包括阵列化排布在基板上的硅材料,其特征在于:在所述硅材料的表面包覆有石墨烯层。其制备方法包括下列步骤:采用化学气相沉积法或磁控溅射镀膜法在基板正反两面上形成硅薄膜;通过掩膜版进行各向同性腐蚀,形成阵列化排布的硅材料;通过化学气相沉积法形成包覆于硅材料表面的石墨烯层。本发明通过在硅阵列表面包覆石墨烯,既可以束缚硅的膨胀、提高导电性、避免电解液与硅直接接触、利用石墨烯与电解液形成的良好SEI膜,从而延长材料充放电循环寿命;本发明提高了首次效率、改善了循环性能、提高了倍率性能与最大化能量密度,给商业化应用硅系材料提供了非常好的方法。 | ||
搜索关键词: | 硅材料 硅负极 制备 化学气相沉积 锂离子电池用 阵列化排布 表面包覆 石墨烯层 电解液 石墨烯 基板 充放电循环寿命 磁控溅射镀膜法 各向同性腐蚀 导电性 商业化应用 倍率性能 硅系材料 首次效率 循环性能 正反两面 硅薄膜 硅阵列 掩膜版 最大化 包覆 膨胀 束缚 | ||
【主权项】:
1.一种锂离子电池用硅负极,包括阵列化排布在基板上的硅材料,其特征在于:在所述硅材料的表面包覆有石墨烯层。
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