[发明专利]自旋轨道磁性记忆体及其制造方法在审
| 申请号： | 201810344693.4 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109841726A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈佑昇;王艺蓉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋轨道磁性记忆体及其制造方法。自旋轨道磁性记忆体包括：一自旋霍尔金属层；一自由磁性层，设置于该自旋霍尔金属层上，其中该自由磁性层包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度；一阻障层，包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度，其中该阻障层的该第一区域设置于该自由磁性层的该第一区域上，该阻障层的该第二区域设置于该自由磁性层的该第二区域上；一固定层，设置于该阻障层的该第一区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 第一区域 第二区域 自由磁性层 阻障层 自旋 磁性记忆 金属层 霍尔 轨道 固定层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道磁性记忆体，其特征在于，包括：一自旋霍尔金属层；一自由磁性层，设置于该自旋霍尔金属层上；一阻障层，设置于该自由磁性层上，其中该阻障层包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度；一固定层，设置于该阻障层的该第一区域上。
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