[发明专利]使用斜降流量的反应气体进行等离子体辅助循环沉积的方法有效
申请号: | 201810344382.8 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108728824B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | T·J·V·布兰夸尔特 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/513 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生;乐洪咏 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种方法是通过等离子体辅助循环沉积来形成氮化物或氧化物膜,其一个循环包含:将第一反应物、第二反应物及前体馈送到放置有衬底的反应空间中,其中所述第二反应物以第一流量比流动,其中流量比定义为所述第二反应物的流动速率与所述反应空间中流动的气体的总流动速率的比率;以及停止馈送所述前体,而以从所述第一流量比逐渐降低至第二流量比的流量比连续地馈送所述第一反应物和所述第二反应物,同时对所述反应空间施加RF功率以使所述衬底暴露于等离子体。所述第二反应物是由含氢化合物或含氧化合物构成。 | ||
搜索关键词: | 使用 流量 反应 气体 进行 等离子体 辅助 循环 沉积 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过等离子体辅助循环沉积来形成氮化物或氧化物膜的方法,包括:(i)将第一反应物、第二反应物及前体馈送到放置有衬底的反应空间中,所述第二反应物由含氢化合物或含氧化合物构成,其中所述第二反应物以第一流量比流动,其中流量比定义为所述第二反应物的流动速率与所述反应空间中流动的气体的总流动速率的比率;(ii)停止馈送所述前体,而以从所述第一流量比逐渐降低至第二流量比的流量比连续地馈送所述第一反应物和所述第二反应物,同时对所述反应空间施加RF功率以使所述衬底暴露于等离子体;以及(iii)重复步骤(i)和(ii)直至获得所希望厚度的所述氮化物或氧化物膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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