[发明专利]制造LED矩阵显示装置的方法有效
| 申请号： | 201810344227.6 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108735663B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 伊凡-克里斯托夫·罗宾;休伯特·波诺;莫德·维内特 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制作显示装置(1000)的方法，其至少包括以下步骤的实施：制作LED(100)的矩阵，每个LED包括能够从LED矩阵的背面接入的电极和在LED矩阵的正面上的发光表面；将包括至少一个半导体层、栅极介电层和栅极导电材料层的层堆叠固定到LED矩阵的背面上；从层堆叠开始，制作电耦接至LED的电极的电子控制电路，包括制作FET晶体管，FET晶体管的有源区域(216)在半导体层中形成并且FET晶体管的栅极(224)在栅极介电层中和栅极导电材料层中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 led 矩阵 显示装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作显示装置(1000)的方法，所述方法至少包括对以下步骤的实施：‑制作LED(100)的矩阵，每个LED(100)包括能够从所述LED(100)的矩阵的背面(141)接入的电极(120，138，140)以及来自所述LED(100)的矩阵的正面(143)的发光表面；‑将包括至少一个半导体层(206)、栅极介电层(208)和栅极导电材料层(210)的层堆叠固定到所述LED(100)的矩阵的背面(141)上；‑从所述层堆叠开始，制作电耦接至所述LED(100)的电极(120，138，140)的电子控制电路(242)，包括制作包括有源区域(216)和栅极(224)的FET晶体管，所述有源区域(216)在所述半导体层(206)中形成，并且所述栅极(224)在所述栅极介电层(208)中和所述栅极导电材料层(210)中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
