[发明专利]CT约束的电阻抗医疗成像方法有效
| 申请号： | 201810335355.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108888268B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张捷;李子昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | A61B5/053 | 分类号： | A61B5/053 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 崔亚松 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种CT约束的电阻抗医疗成像方法，包括：(1)在待测区域布设电极，所述电极包括注入电极和测量电极；(2)向注入电极注入微电流，通过测量电极获取测量电压，与此同时，对待测部位进行CT影像扫描，获取待测部位CT值；(3)按照经验，建立一个应用于成像的初始模型；(4)执行CT约束下的电阻抗联合反演过程；(5)获取电压残差曲线，判断电压残差曲线是否收敛，如果不收敛，将新的电阻抗模型定义为初始模型，计算电压残差，计算交叉梯度函数，再次进行迭代得到新的电阻抗模型；如果收敛，则输出当前反演所得电阻抗模型，作为最终反演结果。本发明所述方法能显著提高传统EIT成像的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | ct 约束 阻抗 医疗 成像 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CT约束的电阻抗医疗成像方法，包括：(1)在待测区域布设电极，所述电极包括注入电极和测量电极；(2)向注入电极注入微电流，通过测量电极获取测量电压，与此同时，对待测部位进行CT影像扫描，获取待测部位CT值；(3)按照经验，建立一个应用于成像的初始模型；(4)执行CT约束下的电阻抗联合反演过程，所述电阻抗联合反演过程：根据初始模型，通过有限元正演计算理论电压，与测量电压相减获得电压残差；根据初始模型以及CT模型，计算交叉梯度函数；通过高斯牛顿迭代法得到电阻抗残差，将电阻抗残差改正到初始模型得到新的电阻抗模型；(5)获取电压残差曲线，判断电压残差曲线是否收敛，如果不收敛，将新的电阻抗模型定义为初始模型，计算电压残差，计算交叉梯度函数，再次进行迭代得到新的电阻抗模型；如果收敛，则输出当前反演所得电阻抗模型，作为最终反演结果。
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