[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810333608.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN109103250B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;尹成功 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体层；位于所述半导体层一侧的源极和漏极；位于远离所述半导体层一侧的阻挡层，所述阻挡层包括硅化物；所述阻挡层靠近半导体层一侧的界面距离半导体层的距离为10nm以上；位于所述源极和漏极之间的栅极，所述栅极贯穿所述阻挡层，所述栅极包括第一导通层和第二导通层，所述第一导通层靠近所述半导体层，所述第二导通层位于所述第一导通层的远离所述半导体层的一侧，所述第一导通层包括镍。该半导体器件通过增大含硅化物阻挡层界面到半导体层的距离实现降低镍硅化物产生位置处的电场强度，具有低栅极漏电、高可靠性，且不会出现电流崩塌恶化的现象，适用于通信系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；位于所述半导体层一侧的源极和漏极；位于所述半导体层一侧的阻挡层，所述阻挡层包括硅化物；位于所述源极和漏极之间的栅极，所述栅极贯穿所述阻挡层，所述栅极包括第一导通层和第二导通层，所述第一导通层靠近所述半导体层，所述第二导通层位于所述第一导通层的远离所述半导体层的一侧，所述第一导通层包括镍；所述阻挡层靠近所述半导体层一侧的界面距离所述半导体层的距离为10nm以上。
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