[发明专利]用于支持数据缓冲器的内部DQ终结的存储器系统有效
| 申请号： | 201810329996.9 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108874306B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 林璇渶;申熙钟;崔仁寿;李荣镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种配置为支持数据缓冲器的内部数据(DQ)终结的存储器系统。该存储器系统包括：作为外部设备访问的目标存储器模块的第一存储器模块；以及作为不被外部设备访问的非目标存储器模块的第二存储器模块。第二存储器模块在内部操作模式期间在内部数据路径上执行内部DQ终结，在内部操作模式下通过使用内部存储器芯片之间的内部数据路径执行数据通信。由于内部DQ终结而减少或禁止在内部数据路径上的信号反射，由此改善信号完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 支持 数据 缓冲器 内部 dq 终结 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储器模块，包括：多个第一存储器芯片；多个第二存储器芯片；控制器，被配置为控制内部操作模式，在所述内部操作模式下，所述存储器模块执行所述多个第一存储器芯片与所述多个第二存储器芯片之间的数据通信；以及多个数据缓冲器，分别对应于所述多个第二存储器芯片，其中，所述控制器被配置为控制所述内部操作模式，使得在所述内部操作模式期间，所述存储器模块在将所述多个数据缓冲器与所述多个第二存储器芯片连接的内部数据路径上执行内部数据(DQ)终结。
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