[发明专利]保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元有效
| 申请号： | 201810325794.7 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108731718B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | M.库尔齐克;O.维勒斯;S.齐诺贝尔;U.孔茨 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01D11/24 | 分类号： | G01D11/24;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;申屠伟进 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元的表面的至少一个第一区域进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 mems 单元 免受 红外线 检查 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于保护MEMS单元（1）、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元（1）的表面的至少一个第一区域（16、17）进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。
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