[发明专利]SONOS存储器的ONO栅极结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS存储器的ONO栅极结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加而成的ONO层、多晶硅栅和顶部氧化层；步骤二、光刻定义区域并对顶部氧化层和多晶硅栅进行停止在第三氧化层上的第一次刻蚀形成ONO栅极结构；步骤三、形成第四氧化层；步骤四、对第四氧化层进行停止在第二氮化层上全面的第二次刻蚀自对准形成氧化层侧墙；步骤五、形成第五氮化层；步骤六、对第五氮化层进行全面的第三次刻蚀自对准形成氮化层侧墙并同时将ONO栅极结构外的第二氮化层和第一氧化层都去除。本发明能防止提高ONO层的稳定性且工艺成本低。

主权项

1.一种SONOS存储器的ONO栅极结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加而成的ONO层，在所述ONO层表面依次形成多晶硅栅和顶部氧化层；步骤二、光刻定义出ONO栅极结构的形成区域并进行第一次刻蚀将所述ONO栅极结构的形成区域外的所述顶部氧化层和所述多晶硅栅去除，由保留于所述ONO栅极结构的形成区域的所述顶部氧化层和所述多晶硅栅叠加和底部的所述ONO层叠加形成所述ONO栅极结构；所述第一次刻蚀停止在所述第三氧化层上；步骤三、形成第四氧化层；步骤四、对所述第四氧化层进行全面的第二次刻蚀自对准在所述ONO栅极结构的侧面形成氧化层侧墙；所述第二次刻蚀同时将所述ONO栅极结构外的所述第三氧化层去除并停止在所述第二氮化层上；步骤五、形成第五氮化层；步骤六、对所述第五氮化层进行全面的第三次刻蚀自对准在所述ONO栅极结构的侧面的所述氧化层侧墙上形成氮化层侧墙；所述第三次刻蚀同时将所述ONO栅极结构外的所述第二氮化层和所述第一氧化层都去除；通过结合所述第二次刻蚀和所述第三次刻蚀自对准将所述ONO栅极结构外的所述ONO层去除以防止去除所述ONO层时产生向所述多晶硅栅底部的横向凹陷。