[发明专利]一种氧化钴/氧化钼分级异质结构纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810316899.6 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN108598399B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 张利锋;许茗奕;神克超;刘毅;郭守武 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种氧化钴/氧化钼分级异质结构纳米片及其制备方法,本发明以常规的钴盐、钼酸盐为原料,通过简单的回流‑煅烧方法合成了结晶度高、具有特定形貌的氧化钴/氧化钼分级异质结构纳米片,该制备方法简单易操作、所用原料易得,利用氩氢气氛中的氩气稳定煅烧过程,氢气起一定的还原作用;该制备方法环境友好、可重复性强、成本低、易于工业化大规模生产。由本发明制得氧化钴/氧化钼异质结构复合材料作为锂离子电池负极材料具有较好的电化学性能。为氧化钴/氧化钼异质结构复合材料在储能,催化等领域的广泛应用提供了理论基础和实践经验。
搜索关键词: 一种 氧化钴 氧化钼 分级 结构 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种氧化钴/氧化钼分级异质结构纳米片的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)将硝酸钴溶于甲醇溶液中,制得溶液A;2)将2‑甲基咪唑溶于甲醇溶液中,制得溶液B;3)将溶液A和溶液B混合搅拌后室温静置,制得溶液C;4)将钼酸钠超声分散于去离子水中,将所得溶液加至溶液C中,制得溶液D;5)将溶液D回流后离心分离,将分离产物分别用水和乙醇清洗后进行干燥,得到中间产物;6)将中间产物煅烧后制得氧化钴/氧化钼分级异质结构纳米片。
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