[发明专利]高峰谷电流比的共振隧穿二极管晶圆结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810316297.0 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108550620A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张翠;丁庆;冯军正;杨旻蔚;刘荣跃;孙竹;许奔 | 申请（专利权）人： | 雄安华讯方舟科技有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/329;H01L29/88 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 071700 河北省保定市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种共振隧穿二极管晶圆结构及制备方法。该共振隧穿二极管晶圆结构，包括层叠设置的收集层、双势垒量子阱结构和发射层，所述双势垒量子阱结构包括依次层叠设置的第一AlAs势垒层、第一InGaAs势阱层、第二InGaAs势阱层和第二AlAs势垒层，且所述第一InGaAs势阱层和所述第二InGaAs势阱层之间设置有InAs亚势阱层；其中，所述第一AlAs势垒层靠近所述收集层，所述第二AlAs势垒层靠近所述发射层；或所述第一AlAs势垒层靠近所述发射层，所述第二AlAs势垒层靠近所述收集层。该共振隧穿二极管晶圆结构在相同工作偏压下，有更多的电子实现迁移，电流响应更大，增加了峰谷电流比值。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 势阱层 共振隧穿二极管 晶圆结构 发射层 收集层 量子阱结构 双势垒 制备 层叠设置 电流响应 电子实现 峰谷电流 工作偏压 依次层叠 电流比 迁移 高峰 | ||
【主权项】：
1.一种共振隧穿二极管晶圆结构，包括层叠设置的收集层、双势垒量子阱结构和发射层，其特征在于，所述双势垒量子阱结构包括依次层叠设置的第一AlAs势垒层、第一InGaAs势阱层、第二InGaAs势阱层和第二AlAs势垒层，且所述第一InGaAs势阱层和所述第二InGaAs势阱层之间设置有InAs亚势阱层；其中，所述第一AlAs势垒层靠近所述收集层，所述第二AlAs势垒层靠近所述发射层；或所述第一AlAs势垒层靠近所述发射层，所述第二AlAs势垒层靠近所述收集层。
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