[发明专利]一种氮气气氛制备多组元高介电常数氧化物薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810313564.9 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108411257A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李荣;汤振杰 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C04B35/10;C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮气气氛制备多组元高介电常数氧化物薄膜的方法，利用脉冲激光沉积系统，通过向沉积腔体内注入氮气，使薄膜生长在氮气气氛下进行，减少薄膜体内缺陷态，抑制薄膜与衬底之间界面层的生长，提高薄膜质量，操作简单，可实现大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 高介电常数 氧化物薄膜 多组元 脉冲激光沉积系统 氮气 薄膜生长 体内缺陷 沉积腔 界面层 衬底 体内 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氮气气氛制备多组元高介电常数氧化物薄膜的方法，其特征在于具体步骤如下：a)(M)x(N)1‑x陶瓷靶材的烧制条件为：M和N粉末在球磨机中充分球磨后，干燥后在25MPa下压制成型，再在1400℃烧制10小时，其中M可在HfO2、ZrO2、TiO2、La2O3中任选一种，N可在Al2O3、SiO2中任选一种；b)将制备的(M)x(N)1‑x陶瓷靶材固定在脉冲激光沉积系统腔体内的靶位上，衬底固定在基底台上，而后利用真空泵将腔体内的气压抽到5.0×10‑5Pa以下，紧接着向腔体内注入氮气，控制气压在100‑200Pa，衬底温度在300‑400℃范围内；c)利用脉冲激光沉积在衬底表面生长一层(M)x(N)1‑x多组元氧化物薄膜，原位保温30分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安阳师范学院，未经安阳师范学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810313564.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
