[发明专利]一种实现集成电路连线开路至短路转变的方法有效
| 申请号： | 201810292083.4 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108428639B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王帆;吴启熙 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种实现集成电路连线开路至短路转变的方法，属于集成电路技术领域，包括：步骤S1、提供一待处理集成电路，所述待处理集成电路具有处于开路状态的两个待处理金属线；步骤S2、提供一测试线，将所述测试线部分置于两个所述待处理金属线之间，且与每个所述待处理金属线之间分别具有预设间隔；步骤S3、基于所述测试线进行电迁移测试，以使所述测试线中的预设原子在预设位置堆积形成金属凸起并挤压两侧的所述待处理金属线，以使两个所述待处理金属线由开路状态转为短路状态。本发明的有益效果：可以方便的对集成电路连线进行open to short的修改，具有非破坏性，快速，经济，样品量大，利于对测试结果进行统计分析等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 集成电路 连线 开路 短路 转变 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现集成电路连线开路至短路转变的方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一待处理集成电路，所述待处理集成电路具有处于开路状态的两个待处理金属线；步骤S2、提供一测试线，将所述测试线部分置于两个所述待处理金属线之间，且与每个所述待处理金属线之间分别具有预设间隔；步骤S3、基于所述测试线进行电迁移测试，以使所述测试线中的预设原子在预设位置堆积形成金属凸起并挤压两侧的所述待处理金属线，以使两个所述待处理金属线由开路状态转为短路状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
