[发明专利]一种SiC Mosfet电性能的测试装置在审
| 申请号： | 201810283089.5 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108562813A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;李现兵;张朋;叶怀宇;钱靖;张国旗;周强 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R19/00 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 唐开平 |
| 地址： | 400044 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、执行机械压力条件下的测试，确认是否退出测试；步骤2、执行温度条件下的测试；确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。本发明的技术效果是：能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。 | ||
| 搜索关键词： | 机械压力 退出测试 存储器 测试装置 温度条件 控制器 电性能 测试 处理器 处理器执行 电流检测器 电压检测器 计算机程序 变化关系 程序结束 电流测试 技术效果 手动控制 温控箱 构建 存储 重复 | ||
【主权项】：
1.一种SiC Mosfet电性能的测试装置，其特征是：包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。
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