[发明专利]一种抗PID光伏电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种抗PID光伏电池及其制备方法，该抗PID光伏电池包括钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET背板、铝合金边框。其制造工艺包括装片、进舟、抽空、升温、检漏、充氮、抽空、预淀积、抽空、镀抗PID薄膜层、抽空、分步淀积、抽空、结束工艺。本发明具有抗PID性能好、电池功率不衰减、工艺简单、成本低等优点。

主权项

1.一种抗PID光伏电池的制备方法，所述电池从上至下分别为钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET背板和铝合金边框；所述的钢化玻璃、上EVA层、电池片、下EVA层、PET按从上而下的顺序依次铺设层层叠压，并通过所述的铝合金边框组装在一起，其特征在于：电池片表面采用PECVD方法镀SiO2薄膜作为减反射膜，制备方法包括以下步骤：(1)装片：将检查合格的石墨舟按照规定方向要求放置在推车上，并将经清洗干净的硅片装在石墨舟两面，仔细检查硅片是否有倾斜或重片；(2)进舟：将推车按照规定方向推入PECVD设备装载区中，并安装好；(3)抽空：将设备装载区抽真空至5×10‑3Pa，并持续监测腔内压力；(4)升温：加热设备装载区，使温度达到工艺要求的温度400℃，并保持该温度直至工艺结束；(5)检漏：利用专业的腔体检漏工具检查装载区漏率；(6)充氮：在装载区内充入氮气，保证腔内无空气残留，使真空度降至0.3MPa；(7)抽空：重复步骤(3)；(8)预淀积：先往装载区内通入NH3进行预清洗，再通入SiH4气体，NH3与SiH4的气体流量比为4：3，使之在硅片表面预先形成一层氮化硅薄膜层；(9)抽空：重复步骤(3)；(10)镀抗PID薄膜层：设置PECVD射频功率为4000W,往装载区内通入N2O和SiH4两种气体的流量分别为1300sccm和700sccm，控制腔内压强为1700mTiorr，脉冲时间为5|50ms，使通入的气体同时在硅片表面生成SiO2和氮化硅薄膜层；(11)抽空：重复步骤(3)；(12)分步淀积：重复多次步骤(10)和步骤(11)，直到达到所需的薄膜层厚度，最后以步骤(11)结束；(13)充氮：重复步骤(6)；(14)结束工艺：按照设备使用规定进行退舟，取片，清洗，检查合格率。