[发明专利]一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201810270664.8 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108502840B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 蔡洪冰;赵慧;王晓平;罗毅 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81B7/04;B81C1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法,包括以下步骤:A)在衬底表面沉积一层酸不溶性薄膜;B)在所述酸不溶性薄膜表面自组装小球单层有序膜;C)采用反应离子刻蚀所述小球单层有序膜,得到粒径减小的小球;D)采用氩离子刻蚀所述粒径减小的小球间的、步骤A)所述的酸不溶性薄膜;E)通过单原子层沉积技术在步骤D)得到的产物表面沉积一层酸溶性薄膜;F)在所述步骤E)得到的产物表面沉积一层与步骤A)中厚度相同的酸不溶性薄膜;G)用酸溶液刻蚀掉步骤F)得到的产物表面的酸溶性薄膜,用溶剂去除所述粒径减小的小球,得到环状纳米间隙有序阵列。
搜索关键词: 一种 高效率 制备 环状 纳米 间隙 有序 阵列 方法
【主权项】:
1.一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:A)在衬底表面沉积一层酸不溶性薄膜;B)在所述酸不溶性薄膜表面自组装小球单层有序膜;C)采用反应离子刻蚀所述小球单层有序膜,得到粒径减小的小球;D)以粒径减小的小球作为掩膜版,采用氩离子刻蚀所述粒径减小的小球间的、步骤A)所述的酸不溶性薄膜;E)通过单原子层沉积技术在步骤D)得到的产物表面沉积一层酸溶性薄膜;F)在所述步骤E)得到的产物表面沉积一层与步骤A)中厚度相同的酸不溶性薄膜;G)用酸溶液刻蚀掉步骤F)得到的产物表面的酸溶性薄膜,用溶剂去除所述粒径减小的小球,得到环状纳米间隙有序阵列。
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