[发明专利]一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法有效
申请号: | 201810270664.8 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108502840B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 蔡洪冰;赵慧;王晓平;罗毅 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B81B7/04;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法,包括以下步骤:A)在衬底表面沉积一层酸不溶性薄膜;B)在所述酸不溶性薄膜表面自组装小球单层有序膜;C)采用反应离子刻蚀所述小球单层有序膜,得到粒径减小的小球;D)采用氩离子刻蚀所述粒径减小的小球间的、步骤A)所述的酸不溶性薄膜;E)通过单原子层沉积技术在步骤D)得到的产物表面沉积一层酸溶性薄膜;F)在所述步骤E)得到的产物表面沉积一层与步骤A)中厚度相同的酸不溶性薄膜;G)用酸溶液刻蚀掉步骤F)得到的产物表面的酸溶性薄膜,用溶剂去除所述粒径减小的小球,得到环状纳米间隙有序阵列。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效率 制备 环状 纳米 间隙 有序 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:A)在衬底表面沉积一层酸不溶性薄膜;B)在所述酸不溶性薄膜表面自组装小球单层有序膜;C)采用反应离子刻蚀所述小球单层有序膜,得到粒径减小的小球;D)以粒径减小的小球作为掩膜版,采用氩离子刻蚀所述粒径减小的小球间的、步骤A)所述的酸不溶性薄膜;E)通过单原子层沉积技术在步骤D)得到的产物表面沉积一层酸溶性薄膜;F)在所述步骤E)得到的产物表面沉积一层与步骤A)中厚度相同的酸不溶性薄膜;G)用酸溶液刻蚀掉步骤F)得到的产物表面的酸溶性薄膜,用溶剂去除所述粒径减小的小球,得到环状纳米间隙有序阵列。
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