[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810254576.9 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108538981A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、钝化层、P型电极和N型电极；缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上，钝化层设置在P型半导体层上除P型电极的设置区域之外的区域上、以及凹槽内除N型电极的设置区域之外的区域上；钝化层的组成物质包括碳单质和硅单质，碳单质包括金刚石和石墨，碳单质的原子个数占钝化层的原子个数的90％以上。本发明可避免电极和外延片的接触界面热效应的积累。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 碳单质 发光二极管芯片 多量子阱层 设置区域 缓冲层 衬底 制备 热效应 半导体技术领域 接触界面 依次层叠 金刚石 电极 石墨 硅单质 外延片 芯片 延伸 积累 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、钝化层、P型电极和N型电极；所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述钝化层设置在所述P型半导体层上除所述P型电极的设置区域之外的区域上、以及所述凹槽内除所述N型电极的设置区域之外的区域上；其特征在于，所述钝化层的组成物质包括碳单质和硅单质，所述碳单质包括金刚石和石墨，所述碳单质的原子个数占所述钝化层的原子个数的90％以上。
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