[发明专利]利用RF平衡的多站式等离子体反应器

摘要

本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。

主权项

1.一种用于循环等离子体辅助半导体沉积处理的装置，所述装置包括：多个沉积站，其中每个沉积站包括至少一个晶片支撑件并且被配置为接收至少一个衬底，并且其中所述多个沉积站位于室内；功率源，其被构造成提供RF功率至所述室，以产生和维持等离子体；阻抗传感器，其被配置为测量等离子体阻抗；RF频率调谐器，其被配置成调谐所述RF功率的频率；一个或多个RF功率调节器，其被配置成调节被分配给所述多个沉积站的所述RF功率，从而减少站到站的变化；以及一个或多个控制器，其中所述一个或多个控制器、所述功率源、所述阻抗传感器、所述RF频率调谐器以及所述RF功率调节器被能通信地连接，并且所述控制器被配置成：执行至少第一沉积工艺和第二沉积工艺，以生产具有不同材料的第一层和第二层，所述不同材料具有不同的内在特性值，其中所述第一沉积工艺是根据第一配方执行的，所述第一配方具有所分配的所述RF功率的第一站到站的调整，并且所述第二沉积工艺是根据第二配方执行的，所述第二配方具有所分配的所述RF功率的第二站到站的调整，以及指示所述一个或多个RF功率调节器来调节被分配到每个站的所述RF功率以减少站到站的变化，其中根据所述第一配方对所分配的所述RF功率的所述第一调整不同于根据所述第二配方对所分配的所述RF功率参数的所述第二调整。