[发明专利]低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201810240376.8 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108400165A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 廖蕾;黎怡;苏萌 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管及制备方法，所述的低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，包括GaN基底；位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极；位于所述GaN基底上表面源极和漏极之间的高K介质层；位于高K介质层上的铁电聚合物层；位于铁电聚合物层上的顶栅电极。本发明利用铁电聚合物材料在极化过程中产生的负电容效应，以及铁电聚合物材料、高K介质材料和AlGaN/GaN异质结三者之间的电容匹配，进而获得了一个稳定的低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，并显著降低器件的亚阈值斜率，大幅提高器件的开关速度，从而显著降低器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 效应晶体管 氮化镓基 低功耗 电容场 铁电聚合物层 铁电聚合物 高K介质层 降低器件 制备 高K介质材料 亚阈值斜率 电容匹配 电容效应 顶栅电极 极化过程 漏电极 上表面 异质结 源电极 功耗 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，其特征是，包括：GaN基底；位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极；位于所述GaN基底上表面源极和漏极之间的高K介质层；位于高K介质层上的铁电聚合物层；位于铁电聚合物层上的顶栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810240376.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
