[发明专利]一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810238503.0 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108493232A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;牛喜平;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构及其制备方法，所述保护结构包括从器件的有源区向器件边缘依次分布的JTE结构与场线环结构。本申请的保护结构应用在纵向功率器件的节终端区域或者横向功率器件的漂移区形成以达到降低器件表面电场，提高器件耐压的作用。该结构可在一次光刻和离子注入的情况下，达到降低表面电场和提高耐压的目的，成本较低并且对光刻的要求较低。此外，本申请的空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构，与传统场线环结构相比对光刻工艺的精度要求降低3倍，与传统JTE结构相比对注入剂量和激活杂质的浓度窗口增加7倍，增大了工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 场线 终端保护结构 剂量调制 保护结构 环结构 耐压 制备 横向功率器件 降低表面电场 纵向功率器件 表面电场 工艺窗口 降低器件 精度要求 器件边缘 一次光刻 终端区域 注入剂量 漂移区 源区 申请 离子 激活 应用 | ||
【主权项】：
1.一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构，其特征在于，所述保护结构包括从器件的有源区向器件边缘依次分布的JTE结构与场线环结构；其中，所述JTE结构至少包含一个空间调制的区域，该区域的注入区占该区域总面积的1％至99％；若包含两个及以上的空间调制区域，注入区占比从有源区向器件边缘递减；所述场线环结构包括至少包含一个场线环，若包含两个及以上的场线环，场线环的间隔可以是相同间隔、等差间隔或者不等间隔。
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