[发明专利]栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构有效
| 申请号： | 201810230259.3 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109585283B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 魏孝宽;许馨云;叶品萱;许经佑;李显铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂置层被形成在栅极电介质层上方。执行热处理以驱动钝化物质从暂置层进入栅极电介质层。暂置层被移除。金属栅电极被形成在栅极电介质层上方。在金属栅电极被形成之前，栅极电介质层包括钝化物质。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 钝化 物质 方法 形成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造方法，包括：在衬底上的有源区域上方形成栅极电介质层；在所述栅极电介质层上方形成暂置含氟层；执行热处理以驱动氟从所述暂置含氟层进入所述栅极电介质层；移除所述暂置含氟层；以及在所述栅极电介质层上方形成金属栅电极，其中，所述栅极电介质层在所述金属栅电极被形成之前包括氟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
