[发明专利]管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器有效

专利信息
申请号: 201810219451.2 申请日: 2013-07-25
公开(公告)号: CN108595345B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 杨宗杰;甘礼升 申请(专利权)人: 慧荣科技股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F11/10
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种记忆装置、记忆装置的控制器和一种管理一闪存中所储存的数据的方法,其中该闪存包含多个区块,且该方法包含有:提供一数据表,其中该数据表记录了该多个区块中已被写入数据的区块,以及其数据写入时间的顺序;侦测该多个区块中一第一区块的质量以产生一第一侦测结果,其中该第一区块为该数据表中所记录的数据写入时间最早的区块;以及依据该第一侦测结果来决定是否将该第一区块的内容搬移到一空白区块中,并将该第一区块的内容删除。本发明可以避免区块因为数据保留时间过长而造成记忆体单元的临界电压分布改变以及数据失真的情形。
搜索关键词: 管理 闪存 储存 数据 方法 相关 记忆 装置 控制器
【主权项】:
1.一种管理一闪存中所储存的数据的方法,应用在一控制器中,其特征在于,该闪存包含多个区块,且该方法包含有:提供一数据表,其中该数据表记录了该多个区块中已被写入数据的区块,以及其数据写入时间的顺序;在该控制器的一闲置期间,参考该数据表以决定出一第一区块,其中该第一区块为该数据表中所记录的数据写入时间最早的区块;在该闲置期间,侦测该第一区块中至少一部分数据的位错误率或位错误量,或侦测多个记忆体单元中至少一部分的记忆体单元的临界电压位移状态,以产生一第一侦测结果;以及当该第一侦测结果指出该第一区块中该至少一部分数据的位错误率或位错误量,或该多个记忆体单元中该至少一部分的记忆体单元的临界电压位移状态不符合一标准时,将该第一区块的内容搬移到一空白区块中,并将该第一区块的内容删除。
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