[发明专利]非易失性存储器子区块擦除干扰管理方案有效
申请号: | 201810218754.2 | 申请日: | 2018-03-16 |
公开(公告)号: | CN109119120B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 胡信德 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 非易失性存储器配置为允许在子区块级进行编程和擦除。在子区块擦除中,诸如通过将它们的字线留为浮置同时将擦除电压施加到子区块所属的物理区块的阱结构,可以选择存储器单元中的一些用于擦除,而不选择其他的存储器单元用于擦除。尽管子区块擦除在未选择的存储器单元之上施加比擦除选择的存储器单元更低的电场,但其仍然将未选择的存储器单元置于一定程度的应力之下,并且可能导致擦除干扰。为了帮助管理该擦除干扰,每个子区块具有相关联的擦除干扰计数,当擦除相同的物理区块的另一个子区块时,该擦除干扰计数递增,但是当该子区块自身被擦除时,重设擦除干扰计数。一旦计数达到阈值,子区块可以标记为进行补救行动,诸如刷新和垃圾收集。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 区块 擦除 干扰 管理 方案 | ||
【主权项】:
1.一种设备,包括:在共享的阱区域之上形成的多个非易失性存储器单元,所述存储器单元包含一个或多个存储器单元的第一集合和一个或多个存储器单元的第二集合,所述第一集合的存储器单元与所述第二集合的存储器单元不同;以及连接到所述存储器单元的一个或多个控制电路,所述控制电路配置为编程所述存储器单元,并且配置为独立地擦除存储器单元的所述第一集合和所述第二集合中的每一个,所述控制电路还配置为确定自上次已经编程存储器单元的所述第一集合以来,存储器单元的所述第二集合已经被编程和擦除的次数是否大于阈值,并且响应于所述次数超过所述阈值,刷新存储器单元的所述第一集合。
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