[发明专利]集成电路及其操作方法有效
| 申请号： | 201810211625.0 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109949847B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;杨尚辑 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路及其操作方法。集成电路包括形成电压接垫、包括多个存储单元的存储器阵列以及连接于存储单元的多个存取线。形成电压轨耦接于形成电压接垫。二极管配置为电流连通于电压轨及多个存取线中的一存取线。在施加形成电压至形成电压接垫的期间，二极管被施以正向偏压，以诱发多个存储单元中的多个存储单元的形成电流。于用于存储器操作使用存储器阵列的期间，在参考电压施加于形成电压接垫的期间，二极管被施以逆向偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：一组接垫，配置用于连接于外部电路，该组接垫包括一形成电压接垫；一存储器阵列，包括多个存储单元，且多个存取线以电流连通的方式连接于该存储器阵列中的该多个存储单元；一形成电压轨，耦接于该形成电压接垫；以及一二极管，配置以电流连通于该形成电压轨及该多个存取线中的一存取线，在施加一形成电压至该形成电压接垫的期间，该二极管配置为被施以正向偏压，以在该多个存储单元中的多个存储单元中诱发一形成电流；在使用该存储器阵列进行多个存储器操作的期间，在施加一参考电压至该形成电压接垫的期间，该二极管配置为被施以逆向偏压。
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