[发明专利]一种NandFlash阵列控制方法在审
申请号: | 201810205468.2 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108470005A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 朱书杉;李婷;毕研山;包汉彬 | 申请(专利权)人: | 山东超越数控电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 韩月娥 |
地址: | 250100 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开一种NandFlash阵列控制方法,涉及SSD数据传输技术,在存储阵列中,将每一列的lun‑plane‑block‑page依次排列,使得数据的逻辑地址与物理地址形成直接映射关系;数据写入时,通过流水写入方式保证数据的高速传输;同时,FPGA通过分解数据的逻辑地址,由一个时钟周期完成逻辑地址到物理地址的直接映射。本发明极大降低了地址转换开销;使得NandFlash阵列的传输速率不因软件开销的原因降低过多,节省了宝贵的CPU资源和硬盘IO资源。 | ||
搜索关键词: | 逻辑地址 物理地址 直接映射 数据传输技术 存储阵列 地址转换 高速传输 软件开销 时钟周期 写入方式 依次排列 硬盘 写入 流水 传输 分解 保证 | ||
【主权项】:
1.一种NandFlash阵列控制方法,其特征在于,在存储阵列中,将每一列的lun‑plane‑block‑page依次排列,使得数据的逻辑地址与物理地址形成直接映射关系;数据写入时,通过流水写入方式保证数据的高速传输;同时,FPGA通过分解数据的逻辑地址,由一个时钟周期完成逻辑地址到物理地址的直接映射。
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