[发明专利]一种晶硅异质结双面太阳电池结构

摘要

一种晶硅异质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。

主权项

1.一种晶硅异质结双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（6）作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅场钝化层I（5）、钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面结构：分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（7）、钝化减反射层II（8）；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（7）、金属栅线II（9），这两个区域交叉分布且不重叠。