[发明专利]一种硫化钴与二硫化钼原位复合电极的制备方法及其在水电解制氢上的应用有效

专利信息
申请号: 201810196366.9 申请日: 2018-03-09
公开(公告)号: CN108411322B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 黄妞;丁玉岳;黄华;闫术芳;孙小华;孙盼盼 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443002*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种硫化钴与二硫化钼原位复合电极的制备方法,具体是在室温搅拌条件下,将氯化钼溶于乙醇中,得到前驱体溶液;将上述前驱体溶液涂布到生长有四氧化三钴阵列的基底上,干燥后Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经高温一步硫化,随炉冷却取出即可得到二硫化钼/二硫化钼复合原位电极。本发明的技术方案利用高温下四氧化三钴与硫反应生成纳米硫化钴,留下纳米孔道的同时,氯化钼与硫化学气相反应生成的二硫化钼沉积在纳米硫化钴的周围,形成接触紧密、接触面积大的硫化钴与二硫化钼的有协同、高催化效应的异质界面。
搜索关键词: 一种 硫化 二硫化钼 原位 复合 电极 制备 方法 及其 水电 解制氢上 应用
【主权项】:
1.一种硫化钴与二硫化钼原位复合电极的制备方法,其特征在于,具体制备方法如下:(1)在室温搅拌条件下,将氯化钼溶于乙醇,得到前驱体溶液;(2)将上述前驱体溶液涂布到生长有四氧化三钴阵列的基底上,干燥待用;(3)将步骤(2)的样品于Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经高温一步硫化,随炉冷却取出即可得到二硫化钼/二硫化钼复合原位电极。
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