[发明专利]形成具有内接触间隔件的保护装置的方法及所产生的装置有效
| 申请号： | 201810194243.1 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108573922B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;大西克典;特克·波·瑞恩斯·李 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成具有内接触间隔件的保护装置的方法及所产生的装置，其中，一种方法包括形成第一多个栅极结构。形成第二多个栅极结构。在该第一及第二多个栅极结构的每一者上形成一第一间隔件。在该第一多个栅极结构的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔。在该第二多个栅极结构的第二对的该第一间隔件之间界定一第二空腔。选择性地在该第二空腔中形成一第二间隔件于该第二对的该栅极结构的每一者的该第一间隔件上而不在该第一空腔中形成该第二间隔件。在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触。在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 接触 间隔 保护装置 方法 产生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：形成第一多个栅极结构；形成第二多个栅极结构；形成一第一间隔件于该第一及第二多个栅极结构的每一者上，其中，在该第一多个栅极结构中的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔，以及其中，在该第二多个栅极结构中的第二对的该第一间隔件之间界定一第二空腔；选择性地在该第二空腔中形成一第二间隔件于该第二对的每个该栅极结构的该第一间隔件上而不在该第一空腔中形成该第二间隔件；在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触；以及在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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