[发明专利]一种形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810191726.6 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109585305B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘相玮;吴佳典;朱韦臻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，包括在目标层上方形成硬掩模；对硬掩模的第一部分实施处理以形成处理部分，未处理的硬掩模的第二部分作为未处理部分。方法还包括对硬掩模的处理部分和未处理部分进行蚀刻，其中，未处理部分由于蚀刻被去除，并且处理部分在蚀刻之后保留。蚀刻位于硬掩模下方的层，其中，硬掩模的处理部分在蚀刻中用作蚀刻掩模的一部分。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方形成第一硬掩模；对所述第一硬掩模的第一部分实施处理以形成处理部分，所述第一硬掩模的未被处理的第二部分作为未处理部分；对所述第一硬掩模的所述处理部分和所述未处理部分进行蚀刻，其中，所述未处理部分由于蚀刻被去除，并且所述处理部分在蚀刻之后保留；以及蚀刻位于所述第一硬掩模下方的层，其中，所述第一硬掩模的所述处理部分在蚀刻中用作蚀刻掩模的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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