[发明专利]一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺有效
| 申请号： | 201810190366.8 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108511336B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘传利;李向坤;刘星义;徐金金;王琪 | 申请（专利权）人： | 科达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺，其中所述的将GOX栅极氧化层，由原来的1000Å调至1200Å，将P型体区的硼离子注入由80KeV8E13调至80KeV9E13；优点为：有效改善IGBT芯片栅极塌陷，提高栅极塌陷的值，有充裕的范围让IGBT开通或关断，可降低误开通或误关断现象的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 塌陷 关断 栅极氧化层 新工艺 开通 离子 | ||
【主权项】：
1.一种改善IGBT芯片栅极塌陷的工艺，IGBT为绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，其特征在于：将GOX栅极氧化层，由原来的1000Å调至1200Å，将P型体区的硼离子注入由80KeV8E13调至80KeV9E13；所述的IGBT芯片的静态参数上表现为通过半导体分立器件测试系统测试所得栅压VTH提高，VTH由原来的5V提升至5.7V；所述的IGBT芯片的动态测试上表现为通过动态测试系统和示波器测试所得栅极塌陷下勾值提高；工艺调整前，静态参数VTH值5.0V在产品应用时的栅极塌陷6.2V；工艺调整后，静态参数VTH值5.7V在产品应用时的栅极塌陷达到7.8V，降低误开通或误关断现象的出现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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