[发明专利]一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法在审
| 申请号： | 201810188987.2 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108383164A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张嵛;杨勇;孙秋成;刘光洁 | 申请（专利权）人： | 长春师范大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130032 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及双层二硫化钼能隙调控技术，具体是一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法，主要用于二硫化钼电子器件制造领域。本发明利用晶格结构的非对称性，通过旋转双层二硫化钼产生一定角度的不对称性实现能隙的快速、精确调控，为实现特定功能器件的制造奠定了基础。本发明为无损调控方法，不会破坏和掺杂二硫化钼，仅通过物理旋转实现二硫化钼能隙的精确调控。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 能隙 晶格结构 调控 精确调控 不对称 电子器件制造 不对称性 非对称性 功能器件 无损 掺杂 制造 | ||
【主权项】：
1.一种双层二硫化钼能隙调控方法，其特征在于，包括以下步骤：将双层二硫化钼的一层固定，另一层旋转角度θ；根据KS方程计算旋转角度θ下的波函数![]()
根据波函数计算得到角度θ下的电子密度nθ(r)；根据电子密度nθ(r)和能量泛函，计算不同旋转角度θ下的能带结构；根据不同旋转角度的能带结构，计算能隙大小。
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