[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201810186748.3 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108288652B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 宁云龙;董廷泽;李婧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板。薄膜晶体管的制备方法包括：形成薄膜晶体管的沟道区；对所述沟道区进行处理，在所述沟道区表面形成空穴层。其中，对所述沟道区进行处理包括：在化学气相沉积设备中，采用硼烷等离子体对所述沟道区表面进行处理，在所述沟道区表面形成带正电荷空穴的空穴层。薄膜晶体管包括沟道区，所述沟道区表面形成有空穴层。其中，所述空穴层中形成有带正电荷的空穴。本发明通过在沟道区表面形成空穴层，空穴层利用其中带正电荷的空穴单元与迁移至沟道区表面的电子复合，避免了沟道区表面可能形成的电流通道，有效降低了漏电流，改善了薄膜晶体管特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成薄膜晶体管的沟道区；对所述沟道区进行处理，在所述沟道区表面形成空穴层。
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