[发明专利]电平位移结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种电平位移结构，包括：LDMOS、对通隔离区和高边区域；对通隔离区包括具有第二导电类型的第一埋层和具有第二导电类型的第二阱区，第二阱区和底部的第一埋层连接；LDMOS的漂移区由第一外延层组成，在漂移区的表面上形成有漂移区场氧；在漂移区场氧底部漂移区中形成有降低表面电场结构，降低表面电场结构包括两层以上的第二导电类型注入层；最底层第二导电类型注入层的注入深度等于第二阱区和第一埋层的连接位置且在连接位置出叠加有和最底层第二导电类型注入层同时形成的第三注入区。本发明公开了一种电平位移结构的制造方法。本发明能减少对通隔离区的漏电同时加强降低表面电场的效果以及降低导通电阻。

主权项

1.一种电平位移结构，其特征在于，包括：LDMOS、对通隔离区和高边区域，所述对通隔离区位于所述LDMOS和所述高边区域之间；在第二导电类型的半导体衬底表面上形成有具有第一导电类型的第一外延层；具有第二导电类型的第一埋层形成在所述对通隔离区的所述半导体衬底和所述第一外延层的界面处；具有第一导电类型的第二埋层形成在所述高边区域的所述半导体衬底和所述第一外延层的界面处；所述LDMOS的体区由形成于所述第一外延层的选定区域中的具有第二导电类型的第一阱区组成；在所述对通隔离区中形成有具有第二导电类型的第二阱区，所述第二阱区和底部的所述第一埋层连接；漂移区由所述第一外延层组成，在所述漂移区的表面上形成有漂移区场氧，所述漂移区场氧和所述体区在横向上有间隔；在所述体区的表面形成栅介质层和多晶硅栅，被所述多晶硅栅所覆盖的表面用于形成沟道；所述多晶硅栅的第二侧还延伸到所述漂移区场氧上；源区由形成于所述体区表面且和所述多晶硅栅的第一侧自对准的第一导电类型重掺杂区组成；漏区由形成于所述漂移区表面且和所述漂移区场氧的第二侧自对准的第一导电类型重掺杂区组成；在所述漂移区场氧底部的所述漂移区中形成有降低表面电场结构，所述降低表面电场结构包括两层以上的第二导电类型注入层；所述降低表面电场结构的最底层第二导电类型注入层的注入深度等于所述第二阱区和所述第一埋层的连接位置，所述第二阱区和所述第一埋层的连接位置叠加有和所述最底层第二导电类型注入层同时形成的第三注入区，由所述第一埋层、所述第三注入区和所述第二阱区叠加形成所述对通隔离区，所述第三注入区增加所述对通隔离区在所述第二阱区和所述第一埋层的连接位置处的掺杂并降低所述对通隔离区在所述第二阱区和所述第一埋层的连接位置处漏电。