[发明专利]含氧空位缺陷的SnO2

摘要

本发明公开一种含氧空位缺陷的SnO2‑石墨烯纳米复合材料及其应用。本发明采用水热法首先制备SnO2‑石墨烯纳米复合材料，然后再通过在弱还原气氛中回火的方式，向SnO2纳米晶中引入氧空位缺陷。采用该方法制得的含氧空位缺陷SnO2‑石墨烯纳米复合材料当用于钠离子电池负极时，表现出极为优秀的倍率性能和循环稳定性。

主权项

1.一种含氧空位缺陷的SnO2‑石墨烯纳米复合材料，通过以下方法步骤制备得到，其特征在于：步骤(1)、将氧化石墨烯水溶液缓慢滴加到SnCl4溶液中，在25℃室温下置于超声波洗池中震荡15～30min，获得黄褐色的透明澄清溶液；步骤(2)、将步骤(1)获得的溶液封装于50ml水热反应釜中，加热至140‑160℃，保温16～24h；步骤(3)、将步骤(2)处理后的溶液进行离心分离,倾去上层清液体后将所得沉淀物置于烘箱中，50～80℃真空干燥12‑16h；步骤(4)、将步骤(3)获得的干燥粉末置于气氛保护管式炉中，在400‑600℃下进行回火处理，同时通入还原性气体，气体流速控制在50‑800ml/min,处理时间为3～5小时，得到所需的含氧空位缺陷SnO2‑石墨烯纳米复合材料；其中通入的还原性气体为含有3‑8vol.％H2的H2/Ar混合气。