[发明专利]一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件在审
| 申请号： | 201810167641.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108389959A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 谭鑫;吕元杰;周幸叶;宋旭波;王元刚;冯志红;邹学锋;马春雷 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/23;H01L29/778;H01L29/20;H01L25/07 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 谢茵 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件，包括在第一衬底的第一表面形成GaN外延层；在GaN外延层上形成以四个首尾相连的无栅极GaN HEMT器件组成的惠斯顿电桥电路的压力敏感单元；在第一衬底的第二表面形成凹槽；凹槽对应区域覆盖相对设置的两个无栅极GaN HEMT器件；将形成凹槽后的第一衬底与第二衬底贴合形成密封腔体。本发明通过两个在凹槽对应区域内制备相对设置的无栅极GaN HEMT器件，与两个在凹槽对应区域外相对设置的无栅极GaN HEMT器件首尾相连，形成惠斯顿电桥电路作为压力敏感单元，利用两对相对设置的无栅极GaN HEMT器件受到压力后电阻变化率的差异，实现惠斯顿电桥电路电压输出最大化，从而提高GaN压力传感器灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 惠斯顿电桥电路 压力传感器 相对设置 制备 压力敏感单元 首尾相连 电桥 半导体技术领域 电阻变化率 第二表面 第一表面 电压输出 密封腔体 区域覆盖 灵敏度 最大化 贴合 | ||
【主权项】：
1.一种电桥式GaN压力传感器制备方法，其特征在于，包括：在第一衬底的第一表面形成GaN外延层；其中，所述GaN外延层包括GaN缓冲层和势垒层；在所述GaN外延层上形成压力敏感单元；其中，所述压力敏感单元为四个首尾相连的无栅极GaN HEMT器件组成的惠斯顿电桥电路；在所述第一衬底的第二表面形成凹槽；其中，所述凹槽在所述GaN外延层上对应区域覆盖相对设置的两个所述无栅极GaN HEMT器件；将形成所述凹槽后的第一衬底与第二衬底贴合形成密封腔体；其中，所述第一表面和第二表面为相对的两个表面。
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