[发明专利]光电转换设备和装置有效
申请号: | 201810165284.8 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108511472B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 河野章宏;中川善之;石冈真男;冈川崇 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/70 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备,其中,从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离,从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离,第三部分的外表面向顶表面倾斜,介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜,并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换设备,包括:基板,所述基板包括多个光电转换部分沿着主表面被布置的光电转换区域;膜,所述膜设置在所述光电转换区域上,并且包括基板一侧的内表面和与所述基板一侧相对的一侧的外表面;第一部件,所述第一部件设置在所述膜与光电转换区域之间,包括位于所述基板一侧的底表面、位于与所述基板一侧相对的一侧的顶表面、以及连接所述底表面和顶表面的侧表面,并且包括光遮蔽体;第二部件,所述第二部件至少设置在所述膜与顶表面之间;以及滤色器,其中,从所述主表面到顶表面的距离小于从所述主表面到滤色器的距离,其中,所述膜包括第一部分、第二部分以及第三部分,所述第一部分在所述基板的主表面的法线方向上与所述光电转换部分中的每一个的至少一部分重叠,所述第二部分在所述法线方向上与所述顶表面重叠,并且所述第三部分位于所述第一部分与第二部分之间,其中,从所述主表面到第一部分处的内表面的距离小于从所述主表面到顶表面的距离,从所述主表面到第一部分处的外表面的距离小于从所述主表面到第二部分处的外表面的距离,并且所述第三部分处的外表面向所述顶表面倾斜,其中,所述第二部件的所述膜一侧的前表面在所述法线方向上在所述膜与顶表面之间向所述顶表面倾斜,并且其中,以下的(A)和(B)中的一个或两个被满足,(A)所述第二部件具有比所述膜的折射率低的折射率,和(B)所述膜和第二部件各自包括硅化合物,并且与所述膜相比,所述第二部件包括较低的氮浓度和/或较高的氧浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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