[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件，漂移区场氧的主体部分由第一氧化层沉积后进行光刻和刻蚀形成；漂移区场氧的侧面具有缓变结构，缓变结构通过第二氧化层沉积后进行全面的各向异性刻蚀确定，第二氧化层沉积后会覆盖在主体结构的表面以及主体结构外的第一外延层表面并在主体结构的侧面上方形成缓变侧面，对第二氧化层进行全面的各向异性刻蚀后将主体结构的侧面上方形成的缓变侧面下沉后形成缓变结构，漂移区场氧通过缓变结构和栅介质层相接触并降低漂移区场氧和栅介质层接触位置处的电场强度。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，降低器件的导通电阻。

主权项

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；在所述漂移区的选定区域中形成由漂移区场氧；在所述体区的表面形成有由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；所述栅介质层的第二侧和所述漂移区场氧的第一侧相接触，所述多晶硅栅的第二侧延伸到所述漂移区场氧的表面上；源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区形成于所述漂移区中且所述漏区的第一侧和所述漂移区场氧的第二侧自对准；所述漂移区场氧的主体部分由第一氧化层沉积后进行光刻和刻蚀形成；所述漂移区场氧的侧面具有缓变结构，所述缓变结构通过第二氧化层沉积后进行全面的各向异性刻蚀确定，所述第二氧化层沉积后会覆盖在所述主体结构的表面以及所述主体结构外的所述第一外延层表面并在所述主体结构的侧面上方形成缓变侧面，对所述第二氧化层进行全面的各向异性刻蚀后将所述主体结构的侧面上方形成的缓变侧面下沉后形成所述缓变结构，所述漂移区场氧通过所述缓变结构和所述栅介质层相接触并降低所述漂移区场氧和所述栅介质层接触位置处的电场强度。