[发明专利]一种低欧姆接触场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201810162077.7 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108346582A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;杜琛;徐浩然;王倩倩;单亚兵 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低欧姆接触场效应晶体管的制备方法，具体步骤为：在硅衬底上生长一层二氧化硅介质层；在二氧化硅介质层上覆盖一层二维材料；在二维材料表面按照图形旋涂一层光刻胶形成掩膜，并使二维材料的两端裸露在外；对二维材料进行辐照，诱导裸露在外的二维材料发生半导体—金属相变；辐照完成后除去光刻胶，在发生相变的二维材料两端制作金属电极A和金属电极B，即制得产品。本发明以二维相变材料在辐照条件诱导下，从半导体相转变为金属相，使金属电极和二维材料的接触变为欧姆接触，导通电流增大，接触电阻和功耗减小，可应用于各种二维材料器件中，拓展了二维相变材料器件的应用范围，提高二维相变材料器件的技术性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 金属电极 欧姆接触 相变材料 二维 二氧化硅介质层 场效应晶体管 辐照 光刻胶 制备 半导体 裸露 诱导 导通电流 辐照条件 功耗减小 接触电阻 金属相变 硅衬底 金属相 旋涂 掩膜 应用 生长 覆盖 拓展 制作 | ||
【主权项】：
1.一种低欧姆接触场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅衬底上生长一层二氧化硅介质层；(2)在二氧化硅介质层上覆盖一层二维材料；(3)在二维材料表面按照图形旋涂一层光刻胶形成掩膜，并使二维材料的两端裸露在外；(4)对二维材料进行辐照，诱导裸露在外的二维材料发生半导体—金属相变；(5)辐照完成后除去光刻胶，在发生相变的二维材料两端制作金属电极A和金属电极B，即制得产品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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