[发明专利]一步光刻法制备金属氧化物半导体及介电薄膜的方法

摘要

本发明公开了一步光刻法制备金属氧化物半导体及介电薄膜的方法，将配制的溶液通过溶胶凝胶技术旋涂制备凝胶薄膜；将制备好的凝胶薄膜置于掩膜版之下，通过紫外光照射,其中氧化物半导体前躯体凝胶薄膜室温光照，氧化物介电前躯体凝胶薄膜置于热板上照射；将光照处理后的凝胶薄膜置于乙醇或乙二醇甲醚等有机溶剂中显影，利用光照后光感交联剂的交联作用，光照的区域不溶于显影溶剂，达到显示图案的目的；将金属氧化物半导体薄膜及金属氧化物介电薄膜顺次图案化退火，集成全图案化的TFT。本发明的有益效果是极大地降低了图案化薄膜的大面积生产成本,并且实现的图案化更加清晰准确，分辨率更高。

主权项

1.一步光刻法制备金属氧化物半导体及介电薄膜的方法，其特征在于按照以下步骤进行：步骤1：金属氧化物前驱体溶液的配制；步骤2：将配制的溶液通过溶胶凝胶技术旋涂制备凝胶薄膜；步骤3：将制备好的凝胶薄膜置于掩膜版之下，通过紫外光照射,其中氧化物半导体前躯体凝胶薄膜室温光照，氧化物介电前躯体凝胶薄膜置于热板上照射；步骤4：将光照处理后的凝胶薄膜置于乙醇或乙二醇甲醚等有机溶剂中显影，利用光照后光感交联剂的交联作用，光照的区域不溶于显影溶剂，达到显示图案的目的；步骤5：图案化的凝胶薄膜进行后期的高温退火处理；将金属氧化物半导体薄膜及金属氧化物介电薄膜顺次图案化退火，集成全图案化的TFT。